Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17309Q3

MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD17309Q3

CSD17309Q3 Hakkında

CSD17309Q3, Texas Instruments tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli (Ta), 60A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (8-VSON-CLIP 3.3x3.3mm) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (5.4mΩ @ 18A, 8V) ile enerji verimliliği sunar. Gate charge değeri 10nC @ 4.5V ve giriş kapasitansi 1440pF @ 15V'dur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 18A, 8V
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok