Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD16570Q5BT

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD16570Q5BT

CSD16570Q5BT Hakkında

CSD16570Q5BT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilim değeri ile 100A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Düşük 0.59mOhm Rds(on) değeri ile ısıl kaybı minimize eden bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC konverterlerinde ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. 8-PowerTDFN (8-VSONP 5x6) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük kapasitesi ile verimli devre tasarımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok