Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD13306
CSD13306WT Hakkında
CSD13306WT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilim, 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-DSBGA (1x1.5mm) kompakt yüzey montajlı paketinde sunulur. Düşük on-resistance değeri (10.2mOhm @ 4.5V) ile güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge ile enerji verimliliği gerektiren mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve gömülü sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok