Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD13306W

MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA

Paket/Kılıf
6-UFBGA
Seri / Aile Numarası
CSD13306W

CSD13306W Hakkında

CSD13306W, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-direnci (10.2mOhm @ 4.5V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-DSBGA (1x1.5mm) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, güç dönüştürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve entegre güç modüllerinde yaygın şekilde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFBGA, DSBGA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-DSBGA (1x1.5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok