Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD13302W
CSD13302W Hakkında
CSD13302W, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile kompakt 4-DSBGA yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 17.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 7.8nC gate charge ve 862pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 862 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok