Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CPMF-1200-S160B

SICFET N-CH 1200V 28A DIE

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B Hakkında

CPMF-1200-S160B, Wolfspeed tarafından üretilen bir Silicon Carbide (SiC) FET transistördür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Die formunda sunulan bu transistör, 220mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 47.1nC gate charge ve 928pF input kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 202W maksimum güç tüketebilir. SiC teknolojisi sayesinde yüksek gerilim uygulamalarında, endüstriyel güç dönüştürücülerinde, kaynak cihazlarında ve yenilenebilir enerji sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 928 pF @ 800 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 202W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 20V
Supplier Device Package Die
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok