Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CPMF-1200-S080B
SICFET N-CH 1200V 50A DIE
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CPMF-1200-S080B
CPMF-1200-S080B Hakkında
CPMF-1200-S080B, Wolfspeed tarafından üretilen bir Silicon Carbide (SiC) FET transistördür. 1200V yüksek gerilim kapasitesi ve 50A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu N-Channel MOSFET, yüksek gerilim güç uygulamalarında kullanılmak için geliştirilmiştir. Die paketlemesi sayesinde kompakt boyutlu tasarımlar için uygundur. 110mOhm (20A, 20V koşullarında) RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristikleri, verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, elektrik araç drivetrain sistemleri, endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Cihaz obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 313mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok