Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CP802-CWDM3011P-WN
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CP802-CWDM3011P
CP802-CWDM3011P-WN Hakkında
CP802-CWDM3011P-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 13mΩ'luk düşük on-resistance değeri (Rds On @ 10V, 1A) ile verimli anahtarlama sağlar. 80nC gate charge ve 3100pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount DIE paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, motor kontrolü, batarya yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok