Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CP802-CWDM3011P-CT
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CP802-CWDM3011P
CP802-CWDM3011P-CT Hakkında
CP802-CWDM3011P-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET DIE (kalıp) bileşenidir. 30V Drain-Source voltajında 11A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu transistör, düşük 13mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. ±20V Vgs (Gate-Source) voltaj aralığında çalışan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık oranında işletilir. 80nC gate charge ve 3100pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Yüksek akım uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motorlar kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Surface mount uyumlu die yapısı, yoğun PCB tasarımları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok