Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CP802-CWDM3011P-CM
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CP802-CWDM3011P
CP802-CWDM3011P-CM Hakkında
CP802-CWDM3011P-CM, Central Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistör Die formunda sunulur. 30V drain-source gerilim desteği ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. 13mΩ (10V, 1A) düşük on-resistance değeri ile verim kayıplarını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge 80nC ve input capacitance 3100pF (8V) parametreleri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Surface mount uyumlu Die paketlemesi sayesinde kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, anahtarlama düzenleyicileri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok