Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CP775-CWDM3011P-WN

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP775-CWDM3011P

CP775-CWDM3011P-WN Hakkında

CP775-CWDM3011P-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Die (chip) formunda sunulan bu komponent, 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 11A sürekli drain akımı sağlar. Maksimum 20mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. 4.5V ve 10V gate drive gerilimlerinde çalışabilir, ±20V maksimum gate-source gerilimi destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, yüksek entegrasyon gerektiren güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Die format montajı özel uygulamalara ve yüksek yoğunluklu montaj gereksinimleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok