Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CP775-CWDM3011P-CM

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP775-CWDM3011P

CP775-CWDM3011P-CM Hakkında

CP775-CWDM3011P-CM, Central Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda kullanılmak üzere die formunda sunulmaktadır. 20mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük konmutasyon kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 80nC gate charge değeri ve 3100pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir. Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok