Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CP406-CWDM3011N-CT

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP406-CWDM3011N

CP406-CWDM3011N-CT Hakkında

CP406-CWDM3011N-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET bare die komponenttir. 30V Drain-Source geriliminde maksimum 11A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 13mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük on-direnci karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 1.15W güç tüketimiyle RF amplifikatörler, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekans uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Surface mount bare die paketlemesi entegre edilmiş tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.93A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok