Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CP375-CWDM3011N-WN

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP375-CWDM3011N

CP375-CWDM3011N-WN Hakkında

CP375-CWDM3011N-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET bare die komponenttir. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile şu alanlarda kullanılır: anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve switching regülatörler. 20mΩ on-resistance (@11A, 10V) düşük ısı kaybı sağlar. Die formunda sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında güvenilir performans verir. Bare die yapısı, özel paketleme ve entegrasyon gerektiren uygulamalar için tercih edilir. 6.3nC gate charge ve 860pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok