Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CP375-CWDM3011N-CT
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CP375-CWDM3011N
CP375-CWDM3011N-CT Hakkında
CP375-CWDM3011N-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET bare die komponenttir. 30V Drain-Source gerilim, 11A sürekli drain akımı ve 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. ±20V gate gerilim sınırlaması ve 3V eşik gerilimi ile kontrol edilebilir. 6.3nC gate charge ve 860pF input kapasitans özellikleri hızlı switching uygulamaları için uygun performance sunmaktadır. Maksimum 2.5W güç dağılımı kapasitesine sahip olup -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bare die form faktörü nedeniyle yüksek yoğunluk entegrasyonu gerektiren uygulamalarda ve custom packaging çözümlerinde tercih edilir. Güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devrelerine uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok