Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CMS30N10V8-HF

MOSFET N-CH 100V 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
CMS30N10V8

CMS30N10V8-HF Hakkında

CMS30N10V8-HF, Comchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak yüksek verimlilik sunar. 8-pin PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 2.1W (Ta) güç dissipasyonu ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile verimli devre tasarımı mümkün kılınır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1325 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10V, 10A
Supplier Device Package 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok