Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CDM2206-800LR
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDM2206
CDM2206-800LR Hakkında
CDM2206-800LR, Central Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim (Vdss) ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 950mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 110W güç saçabilen bu MOSFET, ağır yük anahtarlaması, güç dönüştürme devreleri, endüstriyel kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Maksimum 30V gate-source gerilimi (Vgs) ile kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 474.7 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok