Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CDM22010-650 SL

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
CDM22010-650

CDM22010-650 SL Hakkında

CDM22010-650 SL, Central Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel denetim devreleri, SMPS uygulamaları, motor kontrol ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 1Ω maksimum Rds(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1168 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok