Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0280090J
C3M0280090J-TR Hakkında
C3M0280090J-TR, Wolfspeed tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET teknolojisine dayalı bir N-channel FET transistördür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ve 11A sürekli akım yeteneği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-8 (D²Pak) yüzeye monte paket ile sunulan bu bileşen, düşük 360mOhm on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. İnverter, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 50W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Düşük gate charge (9.5nC) hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok