Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0160120J
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0160120J
C3M0160120J Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen C3M0160120J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 17A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 90W güç dağıtım kapasitesine ve 208mΩ maksimum gate-source direncine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılabilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 632 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 8.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 2.33mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok