Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

C3M0120100J

SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
C3M0120100J

C3M0120100J Hakkında

Wolfspeed C3M0120100J, Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltajında 22A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 155mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 15V gate sürme voltajında çalışan bu FET, 21.5nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. D2PAK-7 (TO-263-8) surface mount paketi ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında kullanılır. Özellikle güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok