Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0120090J-TR
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0120090J
C3M0120090J-TR Hakkında
C3M0120090J-TR, Wolfspeed tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source voltajı ve 22A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 155mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, elektrikli araç driveleri, solar invertörleri ve yüksek frekansı anahtarlama devreleri için uygundur. D²Pak-7 paketinde sunulan transistör, hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri ile modern güç elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok