Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0120090J
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0120090J
C3M0120090J Hakkında
Wolfspeed C3M0120090J, 900V dayanıma sahip N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 22A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D2PAK-7 paketinde sunulan bu bileşen, 155mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 17.3nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektroniği, inverter, UPS sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 83W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok