Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0120065K
C3M0120065K Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen C3M0120065K, 650V ve 22A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel SiC MOSFET transistördür. Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisini kullanan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 157mΩ maksimum on-state direnci, düşük kapasitans değerleri (Ciss: 640pF @ 400V) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde, enerji dönüştürme devrelerinde, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol üniteleri ve endüstriyel şarj sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen TO-247-4 paketli transistör, 98W maksimum güç yayılımı yeteneğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 157mOhm @ 6.76A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1.86mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok