Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0120065J
650V 120M SIC MOSFET
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0120065J
C3M0120065J Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen C3M0120065J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 650V N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli dren akımı ve 157mOhm maksimum on-resistance ile tasarlanmıştır. TO-263-8 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ile +175°C arası) ve düşük gate charge (26nC @ 15V) sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. Endüstriyel konvertörler, elektrikli araç sürücüleri, yenilenebilir enerji sistemleri ve güç elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 157mOhm @ 6.76A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1.86mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok