Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0065100J-TR
SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0065100J
C3M0065100J-TR Hakkında
Wolfspeed C3M0065100J-TR, Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltajında 35A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 78mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konma direncine ve hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketlemesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 113.5W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 113.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok