Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

C3M0065100J

SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
C3M0065100J

C3M0065100J Hakkında

Wolfspeed C3M0065100J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 78mΩ maksimum on-state direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-8) yüzey montaj paketiyle tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 113.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır. İyileştirilmiş gate charge (35nC @ 15V) ve düşük input kapasitansi (660pF) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 113.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok