Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

C3M0065090J-TR

SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
C3M0065090J

C3M0065090J-TR Hakkında

Wolfspeed tarafından üretilen C3M0065090J-TR, Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisini kullanan N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 78mOhm düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 15V gate sürücü geriliminde çalışır ve 30nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-263-8 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, kaynak cihazları ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılan uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok