Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0065090J
C3M0065090J Hakkında
Wolfspeed C3M0065090J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 78mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. D²Pak-7 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, endüstriyel sürücüler, fotovoltaik inverterleri ve elektrikli araç sistemlerinde yer alır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Surface mount montaj özelliği ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok