Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

C3M0025065J1

650V 25 M SIC MOSFET

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
C3M0025065J1

C3M0025065J1 Hakkında

Wolfspeed tarafından üretilen C3M0025065J1, 650V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET'tir. TO-263-8 D²Pak paket şeklinde sunulan bu transistör, 34mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, 15V gate drive voltajında optimal performans gösterir. 109nC gate charge ve 2980pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında, enerji dönüştürme sistemlerinde, inverter ve motor sürücü devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 271W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 33.5A, 15V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max) +19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 9.22mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok