Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C3M0021120D
C3M0021120D Hakkında
C3M0021120D, Wolfspeed tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 28.8mOhm (15V, 50A) ile düşük iletim direncine sahip olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulur ve -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel invertörler, elektrikli araç şarj sistemleri, güç kaynakları ve diğer harita ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4818 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 469W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.8mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 17.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok