Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C2M1000170J
C2M1000170J-TR Hakkında
C2M1000170J-TR, Wolfspeed tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK-7 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 1.4Ω maksimum on-direnci ve 13nC gate charge değerleriyle verimli komütasyon sağlar. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık toleransı ve düşük komütasyon kayıpları sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok