Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

C2M1000170D

SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
C2M1000170D

C2M1000170D Hakkında

C2M1000170D, Wolfspeed tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-kanallı MOSFET transistördür. 1700V drain-source voltaj desteği ve 4.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.1Ω maksimum on-direnci ve 13 nC gate charge özellikleriyle düşük geçiş kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Elektrik şebekeleri, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 191 pF @ 1000 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2A, 20V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok