Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C2M0280120D
C2M0280120D Hakkında
C2M0280120D, Wolfspeed tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 370mOhm (20V, 6A koşullarında) RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Enerji dönüştürme sistemleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 6A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok