Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C2M0160120D
C2M0160120D Hakkında
C2M0160120D, Wolfspeed tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 196mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketlemesi ve -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 32.6nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiği belirtir. Güç dönüştürücüleri, inverterler ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 527 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok