Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- C2M0080120D
C2M0080120D Hakkında
C2M0080120D, Wolfspeed tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 1200V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 36A sürekli drain akımı kapasitesi ve 98mOhm (20A, 20V'de) düşük on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. 62nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulur. Güç dönüştürücüler, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Şu anda yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok