Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BVSS84LT1G

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BVSS84

BVSS84LT1G Hakkında

BVSS84LT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 50V Drain-Source gerilimi, 130mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V gate sürüş voltajında 10Ohm maksimum Rds(On) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate yükü (2.2nC @ 10V) ve düşük input kapasitansi (36pF @ 5V) hızlı anahtarlama uygulamalarını destekler. Güç kaynağı yönetimi, anahtarlı regülatörler, load switching ve motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok