Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUZ76

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
BUZ76

BUZ76 Hakkında

BUZ76, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılabilir. TO-220-3 paketinde sunan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 40W güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli işletme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok