Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUZ32H3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUZ32H3045
BUZ32H3045AATMA1 Hakkında
BUZ32H3045AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 10V gate geriliminde düşük kondüktans kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel uygulamalar için uygun özellikleri barındırır. Not: Bu komponent üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok