Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUZ31HXKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUZ31
BUZ31HXKSA1 Hakkında
BUZ31HXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 14.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yer alır. 5V gate sürücü geriliminde 200mOhm maksimum açık direnç değeri ile verimli şalterli çalışma sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 95W güç yayılım kapasitesi mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 95W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 5V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok