Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1 Hakkında
BUZ30AHXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 125W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. 10V sürüş geriliminde 130mOhm maksimum açık-devre direnci (Rds On) özellikleri ile verimliliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok