Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUZ30AH3045AA
BUZ30AH3045AATMA1 Hakkında
BUZ30AH3045AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 130mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, LED sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 125W güç saçabilme kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok