Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y8R7-60E,115
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y8R7-60E
BUK9Y8R7-60E,115 Hakkında
BUK9Y8R7-60E,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve 86A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Surface Mount LFPAK56 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlamalı güç dönüştürücüleri ve yük anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok