Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y6R0-60E,115
TRANSISTOR >30MHZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y6R0-60E
BUK9Y6R0-60E,115 Hakkında
BUK9Y6R0-60E,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji dönüştürme devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri sistemlerinde yer alır. SC-100 (SOT-669) Surface Mount paketinde sunulur ve 195W maksimum güç yayma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6319 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok