Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y65-100E,115
TRANSISTOR >30MHZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y65-100E
BUK9Y65-100E,115 Hakkında
BUK9Y65-100E,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 19A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 30MHz üstü çalışma frekansı, geniş sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 64W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Surface mount LFPAK56 paketlemesi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1523 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63.3mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok