Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y59-60E,115
N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y59-60E
BUK9Y59-60E,115 Hakkında
BUK9Y59-60E,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 59 mOhm (5A, 10V koşullarında) düşük on-state direnç değerleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 16.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 5V gate sürüş voltajı ile PWM kontrolörlü anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve yük anahtarlaması uygulamalarında yer alır. SC-100 (LFPAK56) Surface Mount paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok