Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y59-60E,115
MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y59-60E
BUK9Y59-60E,115 Hakkında
BUK9Y59-60E,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 16.7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 52mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 37W güç tüketimi belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve switch mode güç kaynaklarında yaygın olarak kullanılır. 5V ve 10V kontrol gerilimlerinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok