Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK9Y38-100E,115

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK9Y38-100E

BUK9Y38-100E,115 Hakkında

BUK9Y38-100E,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. LFPAK56 (SOT-669) yüzey montajlı paketinde sunulan bu FET, 5V gate sürücü geriliminde 38mΩ on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, DC-DC konvertörler, motor kontrolü, aydınlatma ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 21.6nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. 94.9W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2541 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 94.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok