Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK9Y19-55B,115

MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK9Y19-55B

BUK9Y19-55B,115 Hakkında

BUK9Y19-55B,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 46A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrolü, switched-mode power supplies (SMPS) ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. LFPAK56 (Power-SO8) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, 17.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 85W güç tüketebilir. 5V gate sürüş geriliminde optimal performans sunan bu MOSFET, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliklere sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1992 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok