Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y19-100E,115
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y19-100E
BUK9Y19-100E,115 Hakkında
BUK9Y19-100E,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 56A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektoniği uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. LFPAK56 (SO8) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 5V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve maksimum 18mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu FET, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5085 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok